三星正在開(kāi)發(fā)新型LLW DRAM：高寬帶、低延遲、低功耗的內(nèi)存技術(shù)！

隨著人工智能（AI）相關(guān)軟硬件激增，為了能夠更好地應(yīng)對(duì)超大規(guī)模的市場(chǎng)，以及收獲用戶(hù)們的青睞，三星也正在向市場(chǎng)推出基于特定應(yīng)用要求的存儲(chǔ)組合產(chǎn)品，包括DDR5、HBM類(lèi)產(chǎn)品、CXL內(nèi)存模塊等，為各種人工智能技術(shù)提供動(dòng)力。

近日，三星官方介紹了旗下存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和技術(shù)應(yīng)用情況。其中談到了正在開(kāi)發(fā)一種新型存儲(chǔ)器，稱(chēng)為“Low Latency Wide I/O（LLW）DRAM”，將高帶寬、低延遲、低功耗的特性結(jié)合在一起。三星將新的內(nèi)存技術(shù)定位在需要運(yùn)行大型語(yǔ)言模型（LLM）的設(shè)備上，未來(lái)也可能會(huì)出現(xiàn)在各種客戶(hù)端工作負(fù)載中。

據(jù)介紹，LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個(gè)模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。LLW DRAM另一個(gè)重要特性是1.2pJ/bit的超低功耗，不過(guò)三星沒(méi)有告知該功耗下的具體數(shù)據(jù)傳輸速率。

事實(shí)上，三星并沒(méi)有透露LLW DRAM太多的細(xì)節(jié)信息，盡管已經(jīng)對(duì)寬接口內(nèi)存技術(shù)（比如GDDR6W）探索了一段時(shí)間了。據(jù)了解，LLW DRAM在設(shè)計(jì)上可能會(huì)借鑒GDDR6W，并采用扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)將多個(gè)DRAM集成到一個(gè)封裝中。

據(jù)悉，由于三星已公布技術(shù)的預(yù)期性能細(xì)節(jié)，根據(jù)過(guò)往的經(jīng)驗(yàn)，LLW DRAM很可能到了開(kāi)發(fā)階段的尾聲。